碳化硅（SiC）功率芯片全产业链研发与产业化项目商业计划书

项目名称

碳化硅（SiC）功率芯片全产业链研发与产业化项目

项目定位

聚焦“双碳”目标下新能源产业对高效功率器件的需求，突破碳化硅芯片技术，构建全产业链研发与生产体系，填补国内高端碳化硅芯片自主可控空白，成为全球碳化硅功率器件领域标杆企业，为新能源汽车、储能系统、光伏逆变器、工业控制等领域提供高可靠性、低成本的碳化硅芯片产品及解决方案。

资金筹措方式

项目总投资86,753.24万元，其中企业自筹43,681.50万元，占比总投资50.35%，来源于股东增资及自有资金；股权融资25,000.00万元，占比总投资28.82%，银行贷款18,071.74万元（17.1%），占比总投资20.83%，年利率按3.6%计。

项目建设的必要性分析

满足下游产业需求，保障供应链安全的必要性

新能源汽车：2024年，中国新能源汽车市场迎来爆发式增长，全年销量高达1200万辆，创历史新高，同比增速超30%，连续九年位居全球第一。据《中国新能源汽车产业发展白皮书（2024）》预测，随着技术迭代、基础设施完善及政策持续利好，到2030年我国新能源汽车销量有望突破3000万辆大关，年复合增长率保持在16%以上。从碳化硅芯片的应用维度来看，当前主流新能源汽车电控系统中，平均每辆车需搭载6颗车规级碳化硅MOSFET芯片，用于提升逆变器效率、降低能耗。以此测算，2030年国内碳化硅芯片需求量将激增至1.8亿颗。

储能与光伏产业：2024年中国储能装机量达150GW，较前一年实现了显著增长，随着政策推动与市场需求激增，预计2030年将攀升至1000GW；光伏装机量在2024年达到600GW，依托丰富的光照资源与技术进步，预计2030年将达到1500GW的规模。据专业机构测算，当储能与光伏装机量达到上述目标时，两者合计对碳化硅芯片的需求量约为5000万颗。然而，当前国内碳化硅芯片产能仅能满足实际需求的20%，存在着巨大的供需缺口。

工业与高端装备需求：在全球半导体产业向宽禁带半导体转型的浪潮下，中国在工业控制、轨道交通、航空航天等高端制造领域对高可靠性碳化硅芯片的需求呈爆发式增长。2024年，国内市场对这类芯片的需求量已达到500万颗，市场规模突破80亿元人民币，年均复合增长率超过25%。根据YoleGroup预测，到2030年，这一数字将攀升至2000万颗，市场容量有望突破400亿元。

突破核心技术瓶颈，推动国产化进程的必要性

本项目依托自主研发的PVT优化工艺与高精度切割抛光技术，构建了从材料生长到晶圆成型的全流程技术壁垒。通过自主研发的PVT设备温度场动态调控算法，将生长过程中的温场均匀性误差控制在±1.5℃以内，配合独创的梯度降温工艺，有效降低了晶体缺陷密度，提高了良率。同时，本项目将提升国内碳化硅衬底市场国产化率，打破国外企业在高端衬底领域的技术封锁与价格垄断，推动我国第三代半导体产业链自主可控发展。

顺应政策导向，培育经济新增长点的必要性

本项目符合《“十四五”集成电路产业发展规划》《新能源汽车产业发展规划》等国家战略，紧密贴合国家对半导体产业自主可控与新能源技术革新的双重政策导向。当前，车规级碳化硅芯片90%以上依赖进口，存在供应链安全隐患，本项目成功达产后，将有效填补国内高压功率器件领域空白，有力推动中国从“半导体大国”向“半导体强国”转变，为“双碳”目标实现提供核心技术支撑，同时带动新能源、储能、光伏等战略性新兴产业集群式发展，形成万亿级绿色经济增长极。

是提升项目技艺水平，提升国际竞争力的必要性

本项目依托自主研发的第三代半导体碳化硅外延生长技术、高精度芯片制造工艺，成功实现器件耐压、开关损耗等核心性能指标超越国际同类产品。同时，通过优化供应链管理体系，引入国产高纯碳化硅衬底材料，结合自主研发的量产设备，打破国际品牌长期垄断格局，推动我国碳化硅芯片产业迈向全球价值链中高端。

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